|
รายละเอียดสินค้า:
|
| รายละเอียดสินค้า: | ขนาดชิป 0.22mm2 | การห่อหุ้ม: | TO46 |
|---|---|---|---|
| วัสดุ: | หน้าต่างไพลิน | คุณสมบัติ: | ความไวแสงสูง กระแสไฟมืดต่ำ ตาบอดแสงที่มองเห็นได้ดี |
| ความยาวคลื่นตอบสนอง: | 210-370 นาโนเมตร | ||
| เน้น: | เซ็นเซอร์ดัชนี UV 355 นาโนเมตร,เซ็นเซอร์ดัชนี UV 0.22mm2 |
||
รายละเอียดสินค้า:
GT-ABC-M Uv Sensor สำหรับการตรวจสอบหลอด UV Disinfection
คุณสมบัติ:
คุณสมบัติทั่วไป:โฟโตไดโอด UVA+UVB+UVC แบบวงกว้างการทำงานของโหมดโซลาร์เซลล์ตัวเรือนโลหะ TO-46ตาบอดมองเห็นได้ดีการตอบสนองสูงและกระแสมืดต่ำการใช้งาน: การตรวจสอบดัชนี UV, การวัดปริมาณรังสี UV, การตรวจจับเปลวไฟ
ช่วงความสามารถ Tsto -40-85 oC
อุณหภูมิการบัดกรี (3 วินาที) Tsol 260 oC
แรงดันย้อนกลับ Vr-max -10 V
ลักษณะทั่วไป (25 oC) ขนาดชิป
A 0.22 mm2 กระแสมืด (Vr = -1 V) Id <1 nA สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (@265 nm) Tc 0.05 %/ oC ความจุ (ที่ 0 V และ 1 MHz) Cp 18 pF ลักษณะการตอบสนองต่อสเปกตรัม (25 oC) ความยาวคลื่นของจุดสูงสุด การตอบสนอง λ p 355 nm การตอบสนองสูงสุด (ที่ 355 nm) Rmax 0.20 A/W ช่วงการตอบสนองสเปกตรัม (R=0.1×Rmax) - 210-370 nm อัตราส่วนการปฏิเสธที่มองเห็นได้ UV (Rmax/R400 nm) - >10 4 –
ลักษณะสเปกตรัม (25 ºC)
ความยาวคลื่นของการตอบสนองสูงสุด λmax 355 nm
การตอบสนองสูงสุด (ที่ 355 nm) Rmax 0.18 A/W
ช่วงการตอบสนองของสเปกตรัม - 220~370 nm
UV/อัตราส่วนการปฏิเสธที่มองเห็นได้ (Rmax/R400 นาโนเมตร) VB >103 -
ลักษณะทั่วไป (25 ºC)
ขนาดชิป A 1 mm2
กระแสไฟมืด (1 V อคติย้อนกลับ) Id <1 nA
ความจุ (ที่ 0 V และ 1 MHz) C 23 pF
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ Tc -0.1 %/ºC
คะแนนสูงสุด
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน Topt -28~85 ºC
ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ Tstor -40~85 ºC
อุณหภูมิการบัดกรี (3 วินาที) Tsold 260 ºC
แรงดันไฟย้อนกลับ VRmax 10 V
ข้อมูลจำเพาะ:
| ข้อมูลจำเพาะ | พารามิเตอร์ |
| ความยาวคลื่นสูงสุด | 355nm |
| ความไวแสง | 0.20A/วัตต์ |
| ช่วงการตอบสนองของสเปกตรัม (R=0.1×Rmax) | - 210-370 นาโนเมตร |
| อัตราส่วนการปฏิเสธที่มองเห็นได้ UV (Rmax/R400 นาโนเมตร) | - >10 |
ผู้ติดต่อ: Xu
โทร: 86+13352990255
