|
รายละเอียดสินค้า:
|
| พื้นที่ถ่ายภาพคือ: | 5.8 × 5.8 มม. | จำนวนพิกเซล: | 1 |
|---|---|---|---|
| การแช่แข็งและ: | ไม่ระบายความร้อน | ห่อหุ้ม: | โลหะ |
| วัสดุ: | โลหะ | แรงดันย้อนกลับ (สูงสุด): | 20V |
| เน้น: | S8746-01 โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์อินฟราเรด,Preamplifiers โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์อินฟราเรด,โฟโตไดโอดขาซิลิคอนตัวต้านทานแบบบูรณาการ |
||
คําอธิบายสินค้า:
S8746-01 ซิลิคอนปิน โฟโตไดโอด์ พรีแอมพลิเฟียเตอร์ สัมผัสไฟฟ้าไฟฟ้าอินฟราเรด รวมกัน
ลักษณะ:
โฟโตไดโอเดสที่มีตัวต้านทานการตอบสนองและตัวประกอบความแข็งที่บูรณาการสําหรับเครื่องเสริมเสียงก่อน
S8746-01 เป็นเซ็นเซอร์ความรบกวนต่ํา ประกอบด้วยโฟโตไดโอเดส, เครื่องขยายการทํางาน, เครื่องต่อรองการตอบสนองและเครื่องประกอบทั้งหมดบรรจุในแพคเกจขนาดเล็กมากเมื่อเชื่อมต่อกับแหล่งพลังงาน สามารถใช้ในการวัดแสงอ่อน เช่น อุปกรณ์วิเคราะห์หรืออุปกรณ์วัดพื้นผิวที่มีความรู้สึกต่อแสงของมันถูกเชื่อมต่อกับปลาย GND ดังนั้นมันจึงสามารถยับยั้งเสียง EMC มาก
ลักษณะสินค้า
● เหมาะ สําหรับ การ กําหนด ภาพ แบบ แม่นยํา จาก อัลตราไวโอเล็ต ถึง อินฟราเรด ใกล้
● กระเป๋าโลหะเล็กๆ พร้อมหน้าต่างควาตซ์: TO-8
● พื้นที่ อ่อนแอต่อแสง:8×5.8 มิลลิเมตร
● Rf = 1 G ที่ติดตั้งω Cf=5 pF
● FET input op-amp ที่ใช้พลังงานต่ํา
เสียงเสียงต่ํา NEPต่ํา
● ความต้านทานภายนอกเพื่อให้เกิดการเพิ่มความแรงที่เปลี่ยนแปลง
● แพ็คเกจที่มีฟังก์ชันป้องกัน
● กันเสียง EMC
รายละเอียด:
| ความดันกลับ (สูงสุด) | 20 วอล |
| ระยะการตอบสนองแบบสเปคตรัลคือ | 190 ถึง 1100 nm |
| ความยาวคลื่นความรู้สึกสูงสุด (มูลค่าทั่วไป) | 960 nm |
| พลังงานเทียบเคียงเสียง (มูลค่าทั่วไป) | 15×10- 15W/Hz1/2 |
| สภาพการวัด | Typ. Ta=25 °C, F =10Hz, λ=λp, เว้นแต่ระบุต่างหาก |
ผู้ติดต่อ: Xu
โทร: 86+13352990255
