|
รายละเอียดสินค้า:
|
| พิมพ์: | ใกล้กับประเภทอินฟราเรด | บริเวณที่ไวต่อแสง: | φ1 มม |
|---|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์: | โลหะ | หมวดหมู่แพ็คเกจ: | TO-18 |
| ความยาวคลื่นความไวสูงสุด (ทั่วไป): | 800 นิวตันเมตร | ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม: | 400 ถึง 1000 Nm |
| เน้น: | S12060-10,S12060-10 Si Photodiode การใช้ไฟฟ้า,โฟตไดโอเดส Si ที่มีความรู้สึกสูง |
||
S12060-10 ใกล้อินฟราเรด Si APD คออฟเซนเตอร์อุณหภูมิต่ํา แบบ APD สําหรับช่วงความยาว 800nm
นี่คือ Si APD ในช่วงความเร็วใกล้อินฟราเรด 800nm ที่สามารถทํางานได้อย่างมั่นคงในช่วงอุณหภูมิที่กว้างขวาง เหมาะสําหรับการใช้งาน เช่น เครื่องวัดระยะทางทางออทคติกและ FSO (ฟรีสเปซออปติก)
ลักษณะ
- คออฟเซนเตอร์อุณหภูมิแรงดันการแยก: 0.4 V/°C
- การตอบสนองเร็ว
- ความรู้สึกสูง เสียงต่ํา
| ความรู้สึก (ทั่วไป) | 0.5 A/W |
| กระแสความมืด (สูงสุด) | 2 nA |
| ความถี่ของการตัด (ปกติ) | 600 MHz |
| ความจุปลาย (เฉพาะ) | 6 pF |
| ความดันการตัด (ทั่วไป) | 200 วอลต์ |
| สัมพันธ์อุณหภูมิความดันการแยก (ทั่วไป) | 0.4 V/°C |
| กําไร (เฉพาะ) | 100 |
ผู้ติดต่อ: Xu
โทร: 86+13352990255
Thai
