|
รายละเอียดสินค้า:
|
| พลังงานไฟฟ้า: | ≤15V DC หรือ≤3.0MA DC | อิมพีแดนซ์อินพุต: | 4KΩถึง6KΩ |
|---|---|---|---|
| อิมพีแดนซ์เอาต์พุต: | 4KΩถึง6KΩ | ความต้านทานของฉนวน: | 100MΩ,100VDC |
| โอเวอร์โหลดที่อนุญาต: | 1.5 เท่าเต็มสเกล | สื่อการวัด: | อากาศ |
| เน้น: | เครื่องตรวจจับแรงดันแบบพีเซอเรสติสติฟ ที่มีความมั่นคงสูง,เครื่องตรวจจับความดันของน้ําระบายน้ํา,เครื่องตรวจจับความดันแบบปิเซอเรสติฟิค กันน้ํา |
||
คําอธิบายสินค้า:
XGZP170 เซนเซอร์ความดัน Piezoresistive ใช้สําหรับความดันน้ํากันน้ําและมีความมั่นคงสูงในน้ําระบายน้ํา
ลักษณะ:
ระยะการวัด: -100 kpa ถึง 0kPa... 1000kPa
เทคโนโลยี MEMS
แบบเครื่องวัดความดัน
แบบบรรจุ SOP หรือ DIP
เหมาะสําหรับก๊าซที่ไม่เกรี้ยว
ระยะอุณหภูมิการทํางาน: -30 °C ถึง +100 °C
ห้องความดันกลับของชิปอยู่ภายใต้ความดัน
ทิศทางของปินสามารถเลือก
ประสิทธิภาพไฟฟ้า
แหล่งไฟฟ้า: ≤15VDC หรือ ≤3.0mA DC
อุปทานการเข้า:4kQ ถึง 6kQ
อุปทานการออก:4k2 ถึง 6kQ
ความต้านทานการปิด: 100MQ,100VDC
ความอ้วนที่อนุญาต: ความอ้วนที่อนุญาต:3 เท่าของขนาดเต็ม (ช่วงความดัน ≤40kPa)
2 เท่าของขนาดเต็ม (40kPa < ระยะความดัน ≤ 200 kpa)
1.5 เท่าของขนาดเต็ม (200kPa<ช่วงความดัน ≤1000kPa)
ชิปความดัน: วัสดุซิลิคอน
สายลวด: สายทอง
กล่องบรรจุ: วัสดุ PPS
ปิ้น: ทองแดงเคลือบด้วยเงิน
น้ําหนักสุทธิ: ประมาณ 0.4 กรัม
"ประสิทธิภาพไฟฟ้า"
พลังงานไฟฟ้า: ≤15V DC หรือ ≤3.0mA DC
อุปทานการเข้า: 4kΩ ถึง 6kΩ
อุปทานการออก: 4kΩ ถึง 6kΩ
ความต้านทานการปิด: 100MΩ,100VDC
ความอ้วนที่อนุญาต: 3 เท่าของความดันสแตตติกสูงสุด (ความดันสแตตติกสูงสุด ≤40kPa)
1.5 เท่าของความดันสแตตติกสูงสุด (40kPa < ความดันสแตตติกสูงสุด ≤ 350kPa)
เงื่อนไข
สื่อการวัด: อากาศ
อุณหภูมิกลาง: (25±1) °C
อุณหภูมิบริเวณ: (25±1) °C
ความสั่นสะเทือน: 0.1g ((1m/s 2) Max
ความชื้น: (50%±10%) RH
พลังงานไฟฟ้า: (5±0.005) V DC
ใช้เป็นเงื่อนไขการทดสอบเปรียบเทียบสําหรับปริมาตรฐานพื้นฐานต่อไปนี้เท่านั้น
Sรายละเอียด:
| ระยะการวัด | - 100 kpa ถึง 0kPa... 1000kPa |
| รูปแบบบรรจุ | SMD/DIP |
| อุณหภูมิการทํางาน | 0°C ถึง 40°C |
| ระยะอุณหภูมิการทํางาน | -30°C ถึง +100°C |
ผู้ติดต่อ: Miss. Xu
โทร: 86+13352990255
