|
รายละเอียดสินค้า:
|
| พลังงานไฟฟ้า: | ≤15VDCหรือ≤3.0MADC | อิมพีแดนซ์อินพุต: | 4KΩถึง6KΩ |
|---|---|---|---|
| อิมพีแดนซ์เอาต์พุต: | 4KΩถึง6KΩ | ความต้านทานของฉนวน: | 100MΩ,100VDC |
| เกินพิกัดที่อนุญาต: | เต็มสเกล 2 เท่า | แรงดันระเบิด: | ≥3เท่าของสเกล |
| เน้น: | เครื่องตรวจสอบความดันสําหรับเครื่องบรรจุเครื่องว่าง เครื่องตรวจสอบความดัน XGZP040DB1F,XGZP040DB1F Pressure Sensor |
||
คำอธิบายผลิตภัณฑ์:
เซ็นเซอร์ความดัน XGZP040DB1F -100kPa ถึง 0kPa... 700kPa ใช้สำหรับเครื่องบรรจุสูญญากาศ
คุณสมบัติ:
ช่วงการวัด: -100 kpa ถึง 0kPa... 700kPa
เทคโนโลยี MEMS
รูปแบบความดันเกจ
รูปแบบบรรจุภัณฑ์ SOP หรือ DIP
ใช้ได้กับก๊าซที่ไม่กัดกร่อน
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน: -30℃ ถึง +100℃
ห้องความดันด้านหลังของชิปอยู่ภายใต้แรงดัน
สามารถเลือกทิศทางของพินได้
"สาขาการใช้งาน"
สาขาการแพทย์ เช่น เครื่องวัดความดันโลหิตอิเล็กทรอนิกส์, เครื่องช่วยหายใจ, เครื่องผลิตออกซิเจน และจอภาพ
สาขายานยนต์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น เกจวัดแรงดันลมยาง, MAP, พวงมาลัยพาวเวอร์ และระบบช่วยเบรก
สาขาอุปกรณ์กีฬาและฟิตเนส เช่น เครื่องนวด, เก้าอี้นวด และที่นอนลม
เครื่องบรรจุสูญญากาศ, เครื่องผสมสูญญากาศ, เครื่องปั่นสูญญากาศ, กล่องเก็บรักษาแบบสูญญากาศ, ปั๊มสูญญากาศ และสาขาแรงดันลบสูญญากาศอื่นๆ
เครื่องซักผ้า, เครื่องเบียร์, เครื่องชงกาแฟ, เครื่องดูดฝุ่น, เครื่องกรองน้ำ, เกจวัดความดัน, ส่วนประกอบนิวเมติก และสาขาอื่นๆ
ภาพรวมผลิตภัณฑ์
องค์ประกอบความไวต่อแรงดันแบบ piezoresistive ชนิด XGZP เป็นเซ็นเซอร์ความดันที่เหมาะสมสำหรับสาขาต่างๆ เช่น ชีวการแพทย์และยานยนต์อิเล็กทรอนิกส์ และส่วนประกอบหลัก
เป็นชิปความไวต่อแรงดันแบบ piezoresistive ซิลิคอนที่ประมวลผลโดยเทคโนโลยี MEMS ชิปความไวต่อแรงดันประกอบด้วยเมมเบรนยืดหยุ่นและสี่ตัวที่รวมอยู่บนเมมเบรน
ประกอบด้วยตัวต้านทานสี่ตัว ตัวต้านทานสี่ตัวสร้างโครงสร้างสะพาน Wheatstone เมื่อแรงดันถูกนำไปใช้กับเมมเบรนยืดหยุ่น สะพานจะสร้างการเชื่อมต่อกับตัวต้านทานที่ใช้
สัญญาณเอาต์พุตแรงดันไฟฟ้าซึ่งความดันอยู่ในความสัมพันธ์เชิงเส้น
ส่วนประกอบความไวต่อแรงดันชนิด XGZP เป็นส่วนประกอบ OEM ที่บรรจุในรูปแบบ SOP6 และ DIP6 มาตรฐาน ซึ่งอำนวยความสะดวกในการติดตั้งบนพื้นผิวสำหรับผู้ใช้
หรือสามารถติดตั้งได้โดยการใส่โดยตรงในสองแถว
มีคุณสมบัติเชิงเส้นที่ดีเยี่ยม ความสามารถในการทำซ้ำและความเสถียร ความไวสูง และสะดวกสำหรับผู้ใช้ในการดีบักและชดเชยการดริฟท์ของเอาต์พุตและอุณหภูมิ
ข้อมูลจำเพาะ:
| กระแสไฟทำงาน @25℃ | 1700uA |
| ตัวเก็บประจุฟิลเตอร์ | 100nF |
| PSRR | 60dB |
| โหลดกระแสไฟขาออก | 5mA |
ผู้ติดต่อ: Miss. Xu
โทร: 86+13352990255
