ชิปประมวลผลเซ็นเซอร์ไร้สายอินฟราเรดแบบไพโรอิเล็กทริก YJJ BISS0001

คําอธิบายสินค้า:

YJJ BISS0001 ชิปประมวลผลเซ็นเซอร์อินฟราเรดไร้สายไฟฟ้า

ลักษณะ:

BISS0001 เป็นวงจรบูรณาการประมวลผลสัญญาณตรวจจับอินฟราเรดแบบเทอร์โมไพลล์ที่มีโครงสร้างไฮบริดแบบแอนาล็อก-ดิจิตอล CMOS และตัวเลือกการบรรจุสองแบบ: DIP-16 และ SOIC-16.ชิปรวมวงจร เช่น เทียบเทียบความดัน, เครื่องควบคุมสภาพ, เครื่องชะลอวงจร, เครื่องชะลอเวลาล็อคอัพ, และแหล่งระดับความดันอ้างอิง.

วงจรเฉพาะของเครื่องควบคุมการส่องแสงความช้าในอินฟราเรดแบบเทอร์โมปิล (thermopile infrared delay lighting controller) ที่สร้างขึ้นโดยใช้ BISS0001 แสดงอยู่ในรูปเครื่องควบคุมนี้สามารถได้รับการควบคุมของแสงเปิดเมื่อใครบางคนเข้าและปิดเมื่อพวกเขาออกจากมักใช้สําหรับการควบคุมอัตโนมัติในห้องน้ํา ห้องเก็บของ และแสงกระจกในโต๊ะแต่งตัว

เครื่องควบคุมการส่องแสงความช้าในอินฟราเรดแบบเทอร์โมปิล ประกอบด้วยวงจรไฟฟ้า,วงจรควบคุมความช้าในอินฟราเรด และวงจรดําเนินการควบคุมวงจรพลังงานประกอบด้วยเครื่องแปลงพลังงาน T, ไดโอเดสปรับ VD1 ถึง VD4, เครื่องกรองความหนา C7 และ C9, เครื่องกรองความหนา C8, และเครื่องควบคุมความดันสามปลาย IC2. ในการใช้งานจริง T มักถูกเลือกเป็น 220V / 9V,เครื่องแปลงพลังงาน 5VA คุณภาพสูง; VD1 ถึง VD4 ได้ถูกเลือกเป็นไดโอเดสปรับปรับซิลิคอน IN4001; IC2 ได้ถูกเลือกเป็น LM7805 ระบบควบคุมความแรงดันสามปลายและมั่นคงเพื่อสร้างความดันแบบคงที่ + 5V DC เพื่อให้พลังงานให้กับวงจรควบคุมทั้งหมด.

วงจรควบคุมความช้าในอินฟราเรดประกอบด้วยเซ็นเซอร์อินฟราเรด PIR, พันธมิตรความรู้สึก RP1, วงจรบูรณาการประมวลผลสัญญาณตรวจจับอินฟราเรด BISS0001 (IC1)ส่วนประกอบความช้า R1, C2, พันธมิตร RP2, และความต้านทานความรู้สึกต่อแสง RG, และองค์ประกอบด้านนอกอื่น ๆ ในการใช้งานจริง PIR มักถูกเลือกเป็น P2288, PH5324,หรือเซ็นเซอร์อินฟราเรดแบบเทอร์โมปิล LH1956. เพื่อปรับปรุงความรู้สึกของเซ็นเซอร์ PIR ในการตรวจจับรังสีอินฟราเรด, เลนส์ Fresnel ปาราโบลิกหรือครึ่งโลก ควรติดตั้งด้านหน้าของเซ็นเซอร์;RG ถูกเลือกเป็นแบบ MG45 resistors ร้อนรับแสง, และความแตกต่างในการต่อต้านระหว่างสภาพสว่างและสภาพมืดควรใหญ่ที่สุด; RP1 และ RP2 ถูกเลือกเป็น WSW แบบพันธมิตรสภาพแข็งอินทรีย์

วงจรการดําเนินการควบคุมประกอบด้วยสวิทช์อิเล็กทรอนิกส์ VT, รีเล่สภาพแข็ง SSR, และไฟฟ้า H. ในการใช้งานจริง,VT ปกติเลือกเป็น 9013 ประเภทซิลิคอน NPN ทรานซิสเตอร์, ที่มีความต้องการของ β ≥ 100; SSR เลือกเป็น JCX-2F-DC5V ประเภทศูนย์ข้ามสับสนธิ solid-state relay; H สามารถเลือกเป็นหลอดไฟแดง 100W หรือต่ํากว่าตามความต้องการ

หลักการทํางาน:

หลังจากที่วงจรถูกเปิด เมื่อไม่มีใครเข้าไปในช่วงการติดตามของเซ็นเซอร์อินฟราเรด PIR ของเทอร์โมปิลวงจรบูรณาการประมวลผลสัญญาณตรวจจับอินฟราเรดของ thermopile BISS0001 อยู่ในสภาพรีเซ็ต, ปลายการออกสัญญาณควบคุม (ปิน 2) Vo ออกระดับต่ํา สวิทช์อิเล็กทรอนิกส์ VT อยู่ในภาวะตัด, SSR รีเล่ยภาพแข็งถูกปิดและไฟฟ้า H ไม่ส่องแสง, และเครื่องควบคุมอยู่ในสภาวะการติดตาม

โครงสร้างชิปและโมดูลการทํางาน
BISS0001 มีโมดูลดังต่อไปนี้
เครื่องขยายความแรงทํางานแบบขัดขวางสูง: รับและขยายสัญญาณเซ็นเซอร์ ซึ่งเข้ากันได้กับเครื่องตรวจสอบอินฟราเรดไฟฟ้าหลอดหลายชนิด
เครื่องแยกคลื่นสองทิศ: ตัดกรองการรบกวนเสียงจากสิ่งแวดล้อม, รับรองว่าสัญญาณที่ใช้ได้ถูกต้องจะกระตุ้น
ระยะเวลาช้า: ควบคุมระยะเวลาของสัญญาณออก (สามารถปรับเป็นหลายนาที)
เวลาล็อคเอาท์: ป้องกันการเปิดซ้ําเพิ่มความมั่นคงของระบบ
ลักษณะทางเทคนิค:
ความสามารถปรับปรุงความแรงกดสูง (2V - 6V) การบริโภคพลังงานสแตตติกต่ํา
พลังงานไฟฟ้ามาตรฐานที่ติดตั้ง ทําให้การออกแบบวงจรด้านนอกง่ายขึ้น
ขั้นต่ําของเครื่องปรับเสียงตัวตรวจจับสองทิศ สามารถปรับด้วยตัวต่อต้านภายนอก
สอดคล้องกับแพ็คเกจ DIP และ SOP ทําให้การติดตั้งง่ายในกรณีที่แตกต่างกัน
สถานการณ์การใช้งานทั่วไป
การควบคุมแสงสว่างที่ฉลาด: ภายในปี 2024 จะถูกนําไปใช้ในระบบแสงสว่างบนถนนด้วยพลังแสงอาทิตย์ โคมไฟโต๊ะที่ใช้ประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทประสาทการบรรลุประสิทธิภาพการประหยัดพลังงานของ "ไฟที่เปิดเมื่อมีคนอยู่, ไฟดับเมื่อคนไป"
ระบบเตือนความปลอดภัย: ประกอบด้วยเซ็นเซอร์ไฟฟ้าไฟฟ้าและเครื่องตรวจจับการบุกรุกอินฟราเรด
การควบคุมอัตโนมัติอุปกรณ์บ้าน: ควบคุมอุปกรณ์ เช่น ประตูอัตโนมัติ, แฟนไฟฟ้า, เครื่องแห้ง, เพิ่มระดับความฉลาด
ปริมาตรจํากัด
อุณหภูมิการทํางาน: -20°C ถึง +70°C (จะขยายเป็น -20°C ถึง 70°C ภายในปี 2024) [7-8]
อุณหภูมิการเก็บรักษา: -65°C ถึง +150°C [8]
ระยะความแรงดันเข้า: VSS - 0.3V ถึง VDD + 0.3V (VDD ≤ 6V) [8].
ปรับความแรงปัจจุบัน: ± 10mA (VDD = 5V)

เมื่อใครบางคนเข้าไปในระยะการติดตามของเซ็นเซอร์อินฟราเรด PIR และเคลื่อนไหว PIR สามารถแปลงการเปลี่ยนแปลงในรังสีอินฟราเรดที่มนุษย์ปล่อยออกมาเป็นสัญญาณไฟฟ้าความถี่ 00.1 ถึง 10Hz

RP2 และ RG สร้างวงจรควบคุมแสง ในช่วงกลางวัน เครื่องต่อรองความรู้สึกต่อแสง RG แสดงความต้านทานต่ําเมื่อถูกเผชิญกับแสงธรรมชาติ เมื่อระดับ Vo ที่ปิน 9 ของ BISS0001 <0.2VDDมันก่อให้เกิดการกักขัด, และวงจรที่ติดต่อมาของ BISS0001 ไม่ทํางาน และไฟฟ้า H ไม่ส่องแสง ในเวลากลางคืนหรือในสภาพแวดล้อมที่มืดมิด ความต้านทานของ RG เพิ่มขึ้นเมื่อระดับ Vo ที่ปิน 9 ของ BISS0001 เป็น >0.2Vpp, BISS0001 อยู่ในสภาวะการติดตาม, และ% ปลายการออกยังคงอยู่ในระดับต่ํา หากในขณะนี้ใครบางคนเคลื่อนที่ภายในช่วงการติดตาม PIR,PIR จะส่งสัญญาณไฟฟ้าที่เปลี่ยนแปลงกับการเคลื่อนไหวของร่างกายมนุษย์สัญญาณนี้ถูกส่งไปยังเครื่องขยายการทํางานอัดอัดสูงที่อิสระภายใน OP1 ของชิป BISS0001 ผ่านปิน 11N + (ปินที่ 14) หลังจากที่ได้รับการขยายก่อนโดย OP1มันออกผ่านปิน 16 และเชื่อมต่อกับปิน 2IN- (ปินที่ 13) ภายในชิปจากนั้น, มันถูกขยายโดยเครื่องขยายการทํางานระดับสองภายใน OP2 และถูกประมวลผลโดยเครื่องแยกขอบเขตสองทิศภายใน.สัญญาณการก่อการร้ายที่มีประสิทธิภาพคือการออกที่จะเริ่มต้น TX ระยะเวลาการช้าภายในของชิปจากนั้นเครื่องควบคุมสภาพจะส่งสัญญาณควบคุมระดับสูงจากปิน 2 ของ BISS0001 ทําให้สวิทช์อิเล็กทรอนิกส์ VT ควบคุมและขับเคลื่อน SSR รีเล่ยสภาพแข็งและเครื่องประดับไฟ H ให้ส่องแสงและปล่อยแสง.

เวลาสําหรับปินที่ 2 ของ BISS0001 ที่จะส่งสัญญาณควบคุมระดับสูงเท่ากับเวลาชะลอของวงจร มันถูกกําหนดโดยค่าคงที่เวลาของธาตุชะลอ R1 และ C2ตามที่แสดงในรูป, เวลาคือ 15 วินาที เนื่องจากปินที่ 1 ของชิปถูกเชื่อมต่อกับระดับสูง, วงจรอยู่ในภาวะที่อนุญาตการกระตุ้นซ้ํา ๆ. นั่นคือภายในเวลาการช้า (15 วินาที),ตราบใดที่ใครบางคนเคลื่อนไหวเล็กน้อยวงจรจะเริ่มใหม่ และปินที่สองจะส่งสัญญาณระดับสูงเครื่องประดับไฟ H จะส่องแสงตลอดเวลาหลังจากที่คนออกไป หลังจากที่ช้า 15 วินาที วงจรจะรีเซ็ต และไฟฟ้า H จะปิดเอง

รายละเอียด: