|
รายละเอียดสินค้า:
|
| พื้นที่ถ่ายภาพคือ: | 2.8 × 2.4 มม. | จำนวนพิกเซล: | 1 |
|---|---|---|---|
| การแช่แข็งและ: | ไม่ระบายความร้อน | ห่อหุ้ม: | เซรามิก |
| เน้น: | S7686 โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์ IR,โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์ 550 นาโนเมตร,เครื่องตรวจจับอินฟราเรดบีมโฟโตอิเล็กทริค |
||
คําอธิบายสินค้า:
S7686 SI เซ็นเซอร์โฟโตไดโอเดส ที่มีความรู้สึกใกล้กับประสิทธิภาพแสงสายสี
ลักษณะ:
S7686 is a silicon photodiode whose spectral response characteristics are closer to the sensitivity (spectral luminescence efficiency) of the human eye than traditional visible light compensation sensors (S1133ฯลฯ)
การตอบสนองแบบสเปคตรัลคล้ายกับประสิทธิภาพการเรืองแสงแบบสเปคตรัลของ CIE
แพคเกจเซรามิก ความน่าเชื่อถือสูง
พื้นที่ถ่ายภาพ: 2.4× 2.8 มิลลิเมตร
การตอบสนองความเร็วสูง: 0.5 US (VR=0 V, RL=1 k)ω)
ค่า Fs: 8% ค่าเฉพาะ (การกระจายแสงแนวตั้ง)
เวลาขึ้น (มูลค่าทั่วไป)0.5 u s
ความจุของแยก (มูลค่าทั่วไป) 200 pF
สภาพการวัด TYP.TA = 25°C, เว้นแต่ระบุต่างหาก ความรู้สึกต่อแสง: λ=λp, กระแสมืด: VR=1V, ความจุปลาย:VR=0 V, f=10 kHz
รายละเอียด:
| ความดันกลับ (สูงสุด) | 10V |
| ระยะการตอบสนองแบบสเปคตรัลคือ | 480 ถึง 660 nm |
| ความยาวคลื่นความรู้สึกสูงสุด (มูลค่าทั่วไป) | 550 nm |
| ความรู้สึก (มูลค่าเฉพาะ) | 0.38 A/W |
| กระแสความมืด (สูงสุด) | 20 pA |
ผู้ติดต่อ: Xu
โทร: 86+13352990255
