|
รายละเอียดสินค้า:
|
| พิมพ์: | ใกล้อินฟราเรด (การทำงานที่มีอคติต่ำ) | ขนาดพื้นที่ใช้งาน: | φ0.2มม. |
|---|---|---|---|
| วัสดุบรรจุภัณฑ์: | โลหะ | ประเภทแพ็คเกจ: | TO-18 |
| เน้น: | เซนเซอร์ไฟฟ้าอินฟราเรดเซลิกอนอัลวานช์,โฟตไดโอเดสอินฟราเรดทํางานด้วยความเบี้ยวต่ํา,เซ็นเซอร์โฟโตอิเล็กทริกอินฟราเรดพร้อมการรับประกัน |
||
S12023-02-01 ไดโอดรับแสงแบบซิลิคอนแอวาลานช์ การทำงานที่แรงดันไบอัสต่ำ อินฟราเรด
ไดโอดรับแสงแบบซิลิคอนแอวาลานช์ (Si APD) นี้ออกแบบมาสำหรับช่วงใกล้เคียงอินฟราเรด (ย่าน 800 นาโนเมตร) และทำงานที่แรงดันไฟฟ้าต่ำ 200 V หรือน้อยกว่า เหมาะสำหรับการใช้งาน เช่น เครื่องวัดระยะด้วยแสงและการสื่อสารด้วยแสงแบบไร้สาย
คุณสมบัติ:
・ทำงานได้อย่างเสถียรที่แรงดันไบอัสต่ำ
・ความเร็วในการตอบสนองที่รวดเร็ว
・ความไวสูงและสัญญาณรบกวนต่ำ
ข้อมูลจำเพาะ:
|
ความยาวคลื่นของความไวสูงสุด (ทั่วไป)
|
800 นาโนเมตร |
| ช่วงความยาวคลื่นของความไว | 400–1000 นาโนเมตร |
| ความไวแสง (ทั่วไป) | 0.5 A/W |
| กระแสไฟฟ้ามืดสูงสุด | 0.5 nA |
| ความถี่คัตออฟ (ทั่วไป) | 1000 MHz |
| ความจุขั้วต่อทั่วไป | 1 pF |
| แรงดันไฟฟ้าพังทลาย (ทั่วไป) | 150 V |
| สัมประสิทธิ์อุณหภูมิของแรงดันไฟฟ้าพังทลาย (ทั่วไป) | 0.65 V/°C |
| ตัวคูณ (ทั่วไป) | 100 |
ผู้ติดต่อ: Xu
โทร: 86+13352990255
Thai
