จีน โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์อินฟราเรด

• 

  S6931-01 โฟตไดโอเดสซิลิคอน โมลด์เป็นพัสดุพลาสติกใส

  ด้านแสง:2.4 × 2.8 มม.

  การห่อหุ้ม:พลาสติก

  การทำให้เย็นลง:ไม่เย็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S6775 S6775-01 ซิลิคอน PIN โฟโตไดโอเดส ความเร็วสูง

  ด้านแสง:5.5 × 4.8 มม.

  การห่อหุ้ม:พลาสติก

  การแช่แข็ง:ไม่เย็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  โฟตไดโอเดส S7686 Si ที่มีความรู้สึกสูงมาก ความยาวคลื่นความรู้สึกสูงสุดอยู่ที่ 550 nm และช่วงการตอบสนองสายสีสี 480-660 nm

  แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ:10 V

  อุณหภูมิการทำงาน:-10 ถึง +60 ° C

  อุณหภูมิการจัดเก็บ:-20 ถึง +70 ° C

  ติดต่อตอนนี้
• 

  โฟตดิโอเดสปินซิลิคอน S1226-8BK S1226-8BQ ความน่าเชื่อถือสูง

  ด้านแสง:5.8 × 5.8 มม.

  การห่อหุ้ม:โลหะ

  หมวดหมู่แพ็คเกจ:TO-8

  ติดต่อตอนนี้
• 

  เซ็นเซอร์โฟโตอิเล็กทริกอินฟราเรด S8745-01 สำหรับเครื่องมือวิเคราะห์ความแม่นยำ อุปกรณ์วัดอุตสาหกรรม

  ประเภทแพ็คเกจ:แพ็คเกจโลหะถึง 5

  วัสดุหน้าต่าง:ควอตซ์

  ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม:190 ~ 1100 nm

  ติดต่อตอนนี้
• 

  G12181-003A เซ็นเซอร์โฟโตอิเล็กทริกอินฟราเรด (ไดโอดโฟโต InGaAs PIN) สำหรับระบบสื่อสารด้วยแสง

  ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความไว:1.08 ครั้ง/℃

  ช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บ:-55 ℃ -125 ℃

  ช่วงอุณหภูมิการทำงาน:-40 ℃ -100 ℃

  ติดต่อตอนนี้
• 

  G12180-003A เซ็นเซอร์ไฟฟ้าแสงอินฟราเรด (InGaAs PIN photodiode) สําหรับระบบติดตามเลเซอร์

  ประเภทแพ็คเกจ:ถึง - 18

  บริเวณที่ไวต่อแสง:φ0.3 มม

  ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม:0.9 ถึง 1.7 μm

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S8745-01 S8746-01 ซิลิคอน โฟโตดิโอเดสที่มีเครื่องเสริมเสียงก่อนใช้ในการวัดแสงที่ต่ํา

  RF ในตัว:1 gΩและ cf = 5 pf

  พื้นผิวเปล่งแสง:2.4 × 2.4 มม

  บรรจุุภัณฑ์:โลหะ

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ G12181-003A โฟโตไดโอด PIN InGaAs แบบไม่ระบายความร้อน สามารถใช้ตรวจจับขนาดของพื้นที่ไวต่อแสงต่างๆ โฟโตไดโอด PIN InGaAs แบบไม่ระบายความร้อนสามารถใช้ตรวจจับขนาดของพื้นที่ไวต่อแสงต่างๆ

  จำนวนพิกเซล:1

  บรรจุุภัณฑ์:โลหะ

  หมวดหมู่แพ็คเกจ:TO18

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S2386-5K อุปกรณ์วิเคราะห์ อุปกรณ์วัดแสง

  พื้นผิวเปล่งแสง:2.4 × 2.4 มม

  บรรจุุภัณฑ์:โลหะ

  ประเภทแพ็คเกจ:ถึง 5

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S6967 S6967-01 ซิลิคอน PIN โฟตดิโอเดส พลาสติก SIP Package สําหรับการตรวจจับในแสงที่มองเห็นถึงช่วงอินฟราเรดใกล้

  ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม:320 ถึง 1060 nm

  ความยาวคลื่นความไวสูงสุด:900 นาโนเมตร

  ความไวของภาพถ่าย:0.65 A/W

  ติดต่อตอนนี้
• 

  EMIRS200_AT01T_BR090 แหล่งกำเนิดอินฟราเรดแบบใช้ความร้อน MEMS ในแพ็คเกจ TO39

  พิมพ์:อินฟราเรด

  อุณหภูมิการทำงาน:-40 °C ~ 125 °C

  ประเภทการติดตั้ง:ผ่านรู

  ติดต่อตอนนี้