จีน โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์อินฟราเรด

• 

  S1336-44BQ ซิลิคอน โฟโตไดโอเดส ปิน ความจุต่ํา UV ถึง NIR สําหรับการถ่ายภาพแม่นยํา

  พื้นที่อ่อนไหว:3.6 × 3.6 มม.

  จำนวนพิกเซล:1

  การแช่แข็งและ:ไม่ระบายความร้อน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S16838-01MS silicon photodiode for Visible Light Intensity Measurement Color Identification & Sorting

  บริเวณที่ไวต่อแสง:2.8 × 2.4 มม.

  ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม:320nm ถึง 730nm

  ความไวแสง:0.3a/w

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S16838-02MS Silicon photodiode For Optical Detection Equipment Automated Industrial Production Line

  บริเวณที่ไวต่อแสง:2.8 × 2.4 มม.

  ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม:320 ถึง 1100 นาโนเมตร

  ความไวสูงสุด:0.58a/w

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S10227-10 Photoelectric Sensor Small-sized Resin-sealed CMOS Image Sensor For Barcode Scanning Displacement Measurement

  ขนาดพิกเซล:12.5 ×250μm

  ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม:400 - 1,000nm

  อัตราข้อมูลวิดีโอ:สูงถึง 5MHz

  ติดต่อตอนนี้
• 

  Infrared Light Source JSIR350-4-AL-R-D6 For NDIR Gas Analysis Industrial Commercial

  ช่วงเอาต์พุตสเปกตรัม:ประเภท 1 - 20 μm

  ทนร้อน:40 ± 20 Ω

  เวลาคงที่:15 น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S1226-8BK โฟโตไดโอเดสซิลิคอนความน่าเชื่อถือสูง เหมาะสําหรับการถ่ายภาพแม่นยําจากแสงอัลตราไวโอเล็ตไปยังแสงที่เห็นได้

  พื้นผิวรับ:5.8 × 5.8 มม.

  หมวดหมู่แพ็คเกจ:TO-8

  แรงดันย้อนกลับ (สูงสุด):5V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  เครื่องรับแสง UV Photodiode Sensor S1133-01 สําหรับเครื่องวัดการเผยแพร่และเครื่องวัดแสง

  ขนาดพื้นที่ใช้งาน:2.4 x2.8

  พื้นที่ใช้งานที่มีประสิทธิภาพ:6.6

  แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ VR สูงสุด (v):10

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S6931-01 โฟตไดโอเดสซิลิคอน โมลด์เป็นพัสดุพลาสติกใส

  ด้านแสง:2.4 × 2.8 มม.

  การห่อหุ้ม:พลาสติก

  การทำให้เย็นลง:ไม่เย็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S6775 S6775-01 ซิลิคอน PIN โฟโตไดโอเดส ความเร็วสูง

  ด้านแสง:5.5 × 4.8 มม.

  การห่อหุ้ม:พลาสติก

  การแช่แข็ง:ไม่เย็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  โฟตไดโอเดส S7686 Si ที่มีความรู้สึกสูงมาก ความยาวคลื่นความรู้สึกสูงสุดอยู่ที่ 550 nm และช่วงการตอบสนองสายสีสี 480-660 nm

  แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ:10 V

  อุณหภูมิการทำงาน:-10 ถึง +60 ° C

  อุณหภูมิการจัดเก็บ:-20 ถึง +70 ° C

  ติดต่อตอนนี้
• 

  โฟตดิโอเดสปินซิลิคอน S1226-8BK S1226-8BQ ความน่าเชื่อถือสูง

  ด้านแสง:5.8 × 5.8 มม.

  การห่อหุ้ม:โลหะ

  หมวดหมู่แพ็คเกจ:TO-8

  ติดต่อตอนนี้
• 

  EMIRS200-AT01T-BR090 แหล่งกำเนิดแสงอินฟราเรดแบบพกพาพลังงานต่ำสำหรับเครื่องวิเคราะห์ก๊าซแบบพกพา

  ช่วงสเปกตรัม:2 ~ 14 μm

  ความยาวคลื่นสูงสุด:9.6 μM (การดูดซึมCO₂)

  พลังที่เปล่งประกาย:33 MW (ที่ 500 ° C)

  ติดต่อตอนนี้