จีน โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์อินฟราเรด

• 

  S1336-44BQ ซิลิคอน โฟโตไดโอเดส ปิน ความจุต่ํา UV ถึง NIR สําหรับการถ่ายภาพแม่นยํา

  พื้นที่อ่อนไหว:3.6 × 3.6 มม.

  จำนวนพิกเซล:1

  การแช่แข็งและ:ไม่ระบายความร้อน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  UV to Visible Precision Photometry ความละเอียด IR ที่ถูกยับยั้ง ความละเอียด IR ใต้แดง ซิลิคอน PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

  ขนาดพื้นที่ใช้งาน:1.1*5.9

  บรรจุุภัณฑ์:2.7*15

  พื้นที่ใช้งานที่มีประสิทธิภาพ:5.9

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S2386-18L โฟโตไดโอดซิลิคอน สำหรับการวัดแสงทั่วไปในช่วงแสงที่มองเห็นถึงอินฟราเรดใกล้

  ปากกระจับ:TO-18

  แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ vr max:30V

  อุณหภูมิในการทำงาน:-40 ถึง +100 ℃

  ติดต่อตอนนี้
• 

  JSIR350-4-AL-R-D6 NDIR การวิเคราะห์ก๊าซ แหล่งรังสีอินฟราเรด บน T039

  การดำเนินงานปัจจุบัน 2:Typ. ประเภท 141mA 141mA

  มวล:~1G

  ทนร้อน:40±20Ω

  ติดต่อตอนนี้
• 

  G12183-010K เซ็นเซอร์โฟโตไดโอด PIN InGaAs ชนิดคลื่นยาว สัญญาณรบกวนต่ำ

  คอลลิ่ง:ไม่เย็น

  ความยาวคลื่นคัตออฟ:2.55 ถึง 2.6 ไมโครเมตร

  อุณหภูมิในการทำงาน:-40 ถึง +85 ℃

  ติดต่อตอนนี้
• 

  L4643 10 W หลอดไฟแฟลชซีนอน ราคาประหยัด ขั้วไฟฟ้าอายุการใช้งานยาวนาน แก้วบอโรซิลิเกต

  รับประกันตลอดอายุการใช้งาน *4:1X10° 1x ...

  อัตราการทำซ้ำสูงสุด *1:100เฮิร์ต

  วัสดุท่อข้าง:แก้วบอโรซิลิเกต

  ติดต่อตอนนี้
• 

  RPFA913CC เครื่องตรวจจับเพลิงไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้า ช่องเดียว

  ขนาดหน้าต่าง:5.0*5.0mm

  ขนาดองค์ประกอบที่ละเอียดอ่อน:3*3มม

  ความยาวคลื่นของศูนย์กรอง:3.8um

  ติดต่อตอนนี้
• 

  RDA226S-F เครื่องตรวจจับไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไฟฟ้าไ

  แรงดันไฟฟ้า:2.7 -3V

  ขีดจำกัดพิน:-100 ถึง 100 มิลลิแอมป์

  อุณหภูมิในการจัดเก็บ:-40 ถึง 125 องศาเซลเซียส

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S14137-01CR เครื่องรับแสงด้วย IC หน้าสุด Compact 16 Element APD array

  จำนวนเอาต์พุต:16

  ระดับเสียงขององค์ประกอบ:0.5 มม

  พื้นที่ไวต่อแสง (ต่อองค์ประกอบ):0.15 X 0.43มม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S16429-01CT โฟตเซนเซอร์ด้วย IC ปลายหน้าที่สร้างขึ้นใน APD ที่มั่นคง

  บริเวณที่ไวต่อแสง:เส้นผ่านศูนย์กลาง 0.2 มม

  แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ:0 ถึง VBR

  วัสดุปิดผนึก:ซิลิโคนเรซิ่น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S14645 Si APD ความเร็วสูง การติดตั้งพื้นผิวที่คอมแพคต์ ความรู้สึกสูง มีการทํางานด้วยความคัดค้านต่ํา

  อุณหภูมิในการจัดเก็บ:-40 ถึง +100 ℃

  ขนาดไวต่อแสง:0.2มม

  ไปข้างหน้าปัจจุบัน:10mA

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S15639-1325PS ใกล้อินฟราเรด ความรู้สึกสูง MPPC SiPM Multi Pixel Photon Conuter

  พื้นที่ไวแสงที่มีประสิทธิภาพ:1.3 X 1.1มม

  ต้านทานความร้อน:409

  สนามพิกเซล:25um

  ติดต่อตอนนี้