จีน โฟโตอิเล็กทริคเซนเซอร์อินฟราเรด

• 

  G12181-003A เซ็นเซอร์โฟโตอิเล็กทริกอินฟราเรด (ไดโอดโฟโต InGaAs PIN) สำหรับระบบสื่อสารด้วยแสง

  ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความไว:1.08 ครั้ง/℃

  ช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บ:-55 ℃ -125 ℃

  ช่วงอุณหภูมิการทำงาน:-40 ℃ -100 ℃

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S8745-01 S8746-01 ซิลิคอน โฟโตดิโอเดสที่มีเครื่องเสริมเสียงก่อนใช้ในการวัดแสงที่ต่ํา

  RF ในตัว:1 gΩและ cf = 5 pf

  พื้นผิวเปล่งแสง:2.4 × 2.4 มม

  บรรจุุภัณฑ์:โลหะ

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ G12181-003A โฟโตไดโอด PIN InGaAs แบบไม่ระบายความร้อน สามารถใช้ตรวจจับขนาดของพื้นที่ไวต่อแสงต่างๆ โฟโตไดโอด PIN InGaAs แบบไม่ระบายความร้อนสามารถใช้ตรวจจับขนาดของพื้นที่ไวต่อแสงต่างๆ

  จำนวนพิกเซล:1

  บรรจุุภัณฑ์:โลหะ

  หมวดหมู่แพ็คเกจ:TO18

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S2386-5K อุปกรณ์วิเคราะห์ อุปกรณ์วัดแสง

  พื้นผิวเปล่งแสง:2.4 × 2.4 มม

  บรรจุุภัณฑ์:โลหะ

  ประเภทแพ็คเกจ:ถึง 5

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S6967 S6967-01 ซิลิคอน PIN โฟตดิโอเดส พลาสติก SIP Package สําหรับการตรวจจับในแสงที่มองเห็นถึงช่วงอินฟราเรดใกล้

  ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม:320 ถึง 1060 nm

  ความยาวคลื่นความไวสูงสุด:900 นาโนเมตร

  ความไวของภาพถ่าย:0.65 A/W

  ติดต่อตอนนี้
• 

  EMIRS200_AT01T_BR090 แหล่งกำเนิดอินฟราเรดแบบใช้ความร้อน MEMS ในแพ็คเกจ TO39

  พิมพ์:อินฟราเรด

  อุณหภูมิการทำงาน:-40 °C ~ 125 °C

  ประเภทการติดตั้ง:ผ่านรู

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S10227-10 เซ็นเซอร์ภาพ CMOS แบบ Linear Array ขนาดเล็กที่ปิดผนึกด้วยเรซินสำหรับงานอุตสาหกรรม

  พิทช์พิกเซล:12.5 μm

  ความสูงของพิกเซล:250 μm

  อัตราข้อมูลสัญญาณ:สูงสุด 5 MHz

  ติดต่อตอนนี้
• 

  YJJ S3072 ซิลิคอน PIN Photodiode ใช้สําหรับการตรวจจับแสงกระแทกความเร็วสูงในการส่งแสงในอวกาศ

  Light-emitting surface:3.0 mm

  Package:Metal

  Package category:TO-5

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S6428-01 เซ็นเซอร์สี RGB โฟโตไดโอด Si วัสดุพลาสติก

  บริเวณที่ไวต่อแสง:2.8 × 2.4 มม.

  ระยะการตอบสนองสายสี:400 ถึง 540 นาโนเมตร

  กระแสมืด (สูงสุด):0.02 Na

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S2386-18K โฟโตไดโอด Si สำหรับการวัดแสงทั่วไปในช่วงมองเห็นได้ถึงใกล้ IR ความไวสูง

  บรรจุุภัณฑ์:TO-18

  แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ:30V

  อุณหภูมิการทำงาน:-40 ถึง +100 ℃

  ติดต่อตอนนี้
• 

  S1337-1010BR โฟโตไดโอด Si สำหรับการวัดแสงที่แม่นยำในช่วง UV ถึง IR ความจุต่ำ

  วัสดุหน้าต่าง:การปลูกเรซิ่น

  บรรจุุภัณฑ์:15*16.5 มม.

  ความไวแสงมีขนาด:10*10มม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  BPW21R ไดโอดเปล่งแสงซิลิคอน PN แบบระนาบ กระแสไฟรั่วต่ำ แพ็คเกจ TO-5

  แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ:10V

  การกระจายพลังงาน:300MW

  อุณหภูมิทางแยก:125 ℃

  ติดต่อตอนนี้